В Севастополе появятся новые туристические маршруты и зоны отдыха

В Севастополе утвержден порядок предоставления грантов на развитие туристической инфраструктуры.


В Севастополе утвержден порядок предоставления грантов на развитие туристической инфраструктуры. Соответствующий конкурс пройдет в начале сентября.

Принятый документ позволит провести конкур для предпринимателей, победители которых смогут создать новые авторские маршруты и экскурсии, обустроить места отдыха и туристическую среду для людей с ограниченными возможностями.

«Максимальный размер гранта – 3 млн рублей. По итогу конкурса будет реализовано не менее 36 проектов», – сообщила начальник управления туризма города Севастополя Лариса Остапенко в ходе сегодняшнего заседания городского правительства.

Участвовать в конкурсе могут индивидуальные предприниматели Севастополя и юридические лица, кроме некоммерческих организаций, являющихся госучреждениями, за исключением государственных и муниципальных унитарных предприятий.

Напомним, в сентябре также пройдет конкурс на предоставление грантов для благоустройства городских пляжей.

Автор: /ИА «Севастополь»/

Последние новости

ГАЗЕТА «СЕВАСТОПОЛЬСКИЕ ИЗВЕСТИЯ»

Выпуск газеты «Севастопольские известия» от 4 апреля посвящен общегородским мероприятиям и текущей работе депутатов.

Инна Гончарова провела прием граждан

Депутат Законодательного Собрания города Севастополя Инна Гончарова встретилась с избирателями.

ЮРПА. Заседание комитета по социальной политике, труду и здравоохранению

В рамках работы XLII Конференции Южно-Российской Парламентской Ассоциации состоялось заседание комитета по социальной политике, труду и здравоохранению.

О выполнении на территории округа работ по созданию и содержанию зеленых насаждений

Продолжаем информировать вас о нашей работе по созданию и содержанию зеленых насаждений на территории округа.

На этом сайте вы сможете узнать актуальные данные о погоде в Кинешме, включая прогнозы на ближайшие дни и часы

Комментарии (0)

Добавить комментарий

Ваш email не публикуется. Обязательные поля отмечены *